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    富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50 2單元IGBT模塊2MBI600VN-120-50 半橋逆變模塊2MBI600VN-120-50 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售2MBI600VN-120-50

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    富士IGBT模塊2MBI450VN-120-50 2單元IGBT模塊2MBI450VN-120-50 半橋逆變模塊2MBI450VN-120-50 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售2MBI450VN-120-50

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    富士IGBT模塊6MBI450V-170-50 6單元IGBT模塊6MBI450V-170-50 三相全橋逆變模塊6MBI450V-170-50 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售6MBI450V-170-50

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    富士IGBT模塊6MBI300V-120-50 6單元IGBT模塊6MBI300V-120-50 三相全橋逆變模塊6MBI300V-120-50 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售6MBI300V-120-50

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    富士IGBT模塊6MBI225V-120-50 6單元IGBT模塊6MBI225V-120-50 三相全橋逆變模塊6MBI225V-120-50 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售6MBI225V-120-50

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  • 富士7MBR100SD060富士IGBT模塊7MBR100SB060

    富士IGBT模塊7MBR100SB060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    富士IGBT功率模塊7MBR50SB060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    富士IGBT功率模塊7BMR20SC060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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